scroll to top

MEMS DIFFERENTIAL OSCILLATORS

Diese MEMS-Differenzialoszillatoren mit LVPECL-, LVDS- oder HCSL-Ausgangstreibern bieten einen Jitter von lediglich 70 fs RMS. Sie sind im branchenweit kleinsten Gehäuse mit einem Formfaktor von nur 2 x 1.6 mm verfügbar. Diese Oszillatoren verfügen zudem über einen einzigartigen FlexSwing™-Treiber, der wie LVPECL funktioniert. Der FlexSwing™-Treiber bietet jedoch eine unabhängige Einstellung der VOH- und VOL-Pegel, um die Anbindung an Chipsätze mit nicht standardmäßigen Eingangsspannungsanforderungen zu vereinfachen.

Diese Hochleistungsoszillatoren eignen sich ideal für den Einsatz in optischen Modulen sowie Netzwerk-, Server-, Speicher- und Telekommunikationsanwendungen. Sie bieten neben dem geringen Jitter eine hervorragende Störfestigkeit gegenüber Stromversorgungsrauschen (PSNR) und Umwelteinflüssen wie Schock, Vibration und EMI.

Beschreibung

Dieser Differenzialoszillator unterstützt die häufigste verwendeten Netzwerkfrequenzen von 25 MHz bis 644.53125 MHz. Er zeichnet sich durch einen RMS-Jitter von 70 fs (typ.) sowie eine hervorragende Störfestigkeit gegenüber Stromversorgungsrauschen und Umgebungseinflüssen aus. Er ist verfügbar in Gehäusegrößen von 3.2 x 2.5 mm bis 2.0 x 1.6 mm, und erhältlich für den erweiterten Temperaturbereich von bis zu 105 °C.

Der Bausteine bietet gängige Ausgangstreiber für LVPECL, LVDS, HCSL und Low-Power HCSL mit integrierten Abschlusswiderständen. Zudem verfügt er über einen einzigartigen FlexSwing™-Treiber, der wie LVPECL funktioniert, jedoch mit unabhängiger Steuerung der VOH- und VOL-Pegel, um die Anbindung an Chipsätze mit nicht standardmäßigen Eingangsspannungsanforderungen zu vereinfachen.

Technische Informationen

Eigenschaften

  • Silizium-MEMS-Resonator-basierte Oszillatoren
  • Frequenzbereich 25 MHz ~ 644.531250 MHz
  • Beste Temperaturstabilität ±20 ppm
  • Weitester Temperaturbereich -40 °C ~ +105 °C
  • Versorgungsspannungsbereich 1.71 Volt ~ 3.63 Volt
  • LVPECL, LVDS, HCSL, HCSL mit geringer Leistung, FlexSwing
  • Phasen-Jitter (rms) 70 fs ~ 200 fs
  • Extrem hohe Zuverlässigkeit 1 x 109 h MTBF (< 1 FIT)

Drop-in-Ersatz für die folgenden Gehäuseabmessungen

  • 2016 (2.0 x 1.6 x 0.75 mm)
  • 2520 (2.5 x 2.0 x 0.85 mm)
  • 3225 (3.2 x 2.5 x 0.85 mm)

Verfügbare Dienstleistungen

  • Technische Unterstützung durch unsere Ingenieure
  • Kostenlose Muster auf Anfrage
Typ
Fre­quenz­bereich
Ab­mes­sungen
Be­triebs­spann­ung
Weit­ester Temp­eratur­bereich
Freq­uenz­stab­ilität
Daten­blatt
SiT9375
31 Std. Freq.
2016 – 3225
1.8 V / 2.5 V / 3.3 V / 1.71 V – 3.63 V
-40 °C – +105 °C
±20 ppm – ±50 ppm
Typ
SiT9375
Fre­quenz­bereich
31 Std. Freq.
Ab­mes­sungen
2016 – 3225
Be­triebs­spann­ung
1.8 V / 2.5 V / 3.3 V / 1.71 V – 3.63 V
Weit­ester Temp­eratur­bereich
-40 °C – +105 °C
Freq­uenz­stab­ilität
±20 ppm – ±50 ppm
Daten­blatt
Daten­blatt
31 Std. Freq.
SiT9501
14 Std. Freq.
2016 – 3225
1.8 V / 2.5 V / 3.3 V / 1.71 V – 3.63 V
-40 °C – +105 °C
±20 ppm – ±50 ppm
Typ
SiT9501
Fre­quenz­bereich
14 Std. Freq.
Ab­mes­sungen
2016 – 3225
Be­triebs­spann­ung
1.8 V / 2.5 V / 3.3 V / 1.71 V – 3.63 V
Weit­ester Temp­eratur­bereich
-40 °C – +105 °C
Freq­uenz­stab­ilität
±20 ppm – ±50 ppm
Daten­blatt
SiT9371
100.0 MHz
2016 – 3225
1.8 V / 2.5 V / 3.3 V / 1.71 V – 3.63 V
-40 °C – +105 °C
±20 ppm – ±50 ppm
Typ
SiT9371
Fre­quenz­bereich
100.0 MHz
Ab­mes­sungen
2016 – 3225
Be­triebs­spann­ung
1.8 V / 2.5 V / 3.3 V / 1.71 V – 3.63 V
Weit­ester Temp­eratur­bereich
-40 °C – +105 °C
Freq­uenz­stab­ilität
±20 ppm – ±50 ppm
Daten­blatt
Daten­blatt
31 Std. Freq.